JOPSS:検索結果一覧

検索結果：　5 件中 1件目～5件目を表示

発表形式

Initialising ...

選択項目を絞り込む

掲載資料名

Initialising ...

発表会議名

Initialising ...

筆頭著者名

Initialising ...

キーワード

Initialising ...

使用言語

Initialising ...

発行年

Initialising ...

開催年

Initialising ...

論文

Heat stability of Mo/Si multilayers inserted with compound layers

石野雅彦; 依田修; 竹中久貴*; 佐野一雄*; 小池雅人

Surface & Coatings Technology, 169-170(1-3), p.628 - 631, 2003/06

Mo/Si多層膜は、波長13nm近傍の軟X線領域において、高い直入射反射率を示すが、300 $^{circ}C$ 以上の温度においては、多層膜界面での原子拡散やSi化合物の生成により、多層膜構造が劣化し、反射率が減少する。そこで我々は、熱による原子の拡散と化合物の生成を抑制し、Mo/Si多層膜の耐熱性を向上させることを目的として、イオンビームスパッタ法を用いて、界面にSiO $_{2}$ 層を挿入したMo/Si多層膜を成膜した。耐熱性評価のため、多層膜試料に対して、真空加熱炉を用いて600 $^{circ}C$ までの加熱処理を行った。そして、CuK $alpha_{1}$ 線を用いたX線反射率測定を行い、Mo/Si多層膜の構造評価を行った。その結果、従来のMo/Si多層膜は、350 $^{circ}C$ 以上の温度で周期構造が大きく劣化したのに対して、SiO $_{2}$ 層を挿入したMo/Si多層膜の構造変化は小さく、耐熱性の向上が確認された。また、軟X線反射率測定の結果からも、SiO $_{2}$ 層の挿入は、Mo/Si多層膜の耐熱性に有効であることを確認した。

論文

Heat stability of Mo/Si multilayers inserted with silicon oxide layers

石野雅彦; 依田修; 佐野一雄*; 小池雅人

X-Ray Mirrors, Crystals, and Multilayers II (Proceedings of SPIE Vol.4782), p.277 - 284, 2002/12

Mo/Si多層膜の耐熱性向上を目的に、多層膜界面に厚さ2.0nmのSiO $_{2}$ を挿入した試料を成膜した。多層膜試料の耐熱性を評価するため、600 $^{circ}C$ までの熱処理を行った。その結果、Mo-on-Si表面にSiO $_{2}$ 層を挿入したMo/Si/SiO $_{2}$ 多層膜が400 $^{circ}C$ における熱処理後も高い軟X線反射率を維持することがわかった。各界面にSiO $_{2}$ 層を挿入したMo/SiO $_{2}$ /Si/SiO $_{2}$ 多層膜は、高い耐熱性を有するが、酸素による吸収が大きいため、高い軟X線反射率が期待できない。SiO $_{2}$ 層による軟X線反射率の低下を抑えるために、Mo/Si多層膜界面に挿入するSiO $_{2}$ 層の厚さの最適化を試みた結果、Si-on-Mo界面に0.5nm,Mo-on-Si界面に1.5nmのSiO $_{2}$ 層を挿入したMo/SiO $_{2}$ /Si/SiO $_{2}$ 多層膜が高い耐熱性と高い軟X線反射率を持つことを見いだした。

論文

Optimization of the silicon oxide layer thicknesses inserted in the Mo/Si multilayer interfaces for high heat stability and high reflectivity

石野雅彦; 依田修

Journal of Applied Physics, 92(9), p.4952 - 4958, 2002/11

https://doi.org/10.1063/1.1510566

被引用回数：6 パーセンタイル：28.33(Physics, Applied)

Mo/Si多層膜界面にSiO $_{2}$ 層を挿入することにより、Mo/Si多層膜の耐熱性は大きく向上するが、Mo/Si多層膜が高い反射率を示す波長13nm近傍の軟X線領域では、酸素によるX線の吸収が大きいため、SiO $_{2}$ 層を挿入したMo/Si多層膜の軟X線反射率は減少する。そこで、高い耐熱性をもつMo/SiO $_{2}$ /Si/SiO $_{2}$ 多層膜に対して、軟X線反射率の向上を目的にSiO $_{2}$ 層厚の最適化を行った。600 $^{circ}C$ までの熱処理に対する構造評価と、軟X線反射率測定の結果、Si-on-Mo界面に0.5nm,Mo-on-Si界面に1.5nmずつのSiO $_{2}$ 層を挿入したMo(4.0)/SiO $_{2}$ (0.5)/Si(4.0)/SiO $_{2}$ (1.5)多層膜が高い耐熱性と軟X線反射率とを実現することを見いだした。この多層膜は400 $^{circ}C$ における熱処理後も熱処理前と同様の高い軟X線反射率を示し、500 $^{circ}C$ までの熱処理に対して安定な構造を有する。この温度は従来のMo/Si多層膜に比べ、約200 $^{circ}C$ と高い。

論文

Boundary structure of Mo/Si multilayers for soft X-ray mirrors

石野雅彦; 依田修; 葉石靖之*; 有元史子*; 武田光博*; 渡辺精一*; 大貫惣明*; 阿部弘亨

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 41(5A), p.3052 - 3056, 2002/05

https://doi.org/10.1143/JJAP.41.3052

被引用回数：12 パーセンタイル：45.92(Physics, Applied)

軟X線反射鏡用Mo/Si多層膜の構造を評価するため、高分解能断面TEM観察及びX線回折測定を行った。また、TEM観察から示唆される多層膜モデルを用いて、X線反射率測定結果に対するシミュレーション計算を行い、多層膜の界面構造及び各層の膜厚,密度を定量的に評価した。その結果、Mo層の結晶性であり、Mo層厚が8nm以下のときは、Mo結晶粒径が層厚に一致することを見いだした。また、Mo/Si多層膜の界面に形成される混合層は、Si層側に形成されること,混合層の層厚は、Mo層とSi層の膜厚比にかかわらず約1.4nmであることがわかった。そして、Mo-on-Si界面に形成される混合層の層厚と密度は、Si-on-Mo界面に形成される混合層よりも大きく、Mo層とSi層の密度は、それぞれのバルク密度に比べて僅かに小さいことを見いだした。

論文

軟X線発光分光によるMo/Si多層膜中の「埋もれた」界面の結合状態の研究

宮田登; 石川禎之*; 柳原美広*; 渡邊誠*

Photon Factory News, 18(2), p.25 - 29, 2000/08

軟X線発光分光はプローブである軟X線の脱出深さが比較的長く、固体中の十分深い箇所からの発光が観測できるので、表面に依存しない、物質内部の結合状態を評価できる手法である。特に放射光による大強度単色軟X線で励起した場合には、用いる波長により特定の物質を励起できることもあり、2つの物質が接した際の境界面である「埋もれた」界面の結合状態を効率的に、試料を破壊することなく評価することができる。この手法により、近年軟X線光学や半導体製造技術で注目されているMoとSiの「埋もれた」界面の結合状態を評価した。Si膜厚の異なる5種類の多層膜試料を用意し、それらからのSiI $_{2,3}$ 発光スペクトルの測定を行い、それらを参照試料からのスペクトルと比較し。その結果、界面ではMo $_{3}$ Siが約8できていることを示した。さらに、この多層膜をアニールすると界面層はMoSi $_{2}$ に変化することを示した。